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產(chǎn)品中心Product
PQFN8*9 產(chǎn)品介紹

PQFN IPM基于高效率、超緊湊和高度集成的PQFN封裝,采用PCB銅箔散熱,省掉了外部散熱器。同時(shí)也提供了一個(gè)新的基準(zhǔn),在尺寸上可與任何同類競(jìng)爭(zhēng)解決方案相匹敵。主要適用于吹風(fēng)筒等空間要求苛刻的應(yīng)用,功率范圍為100W以下。


PQFN8*9 IPM特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì):

  • 其它封裝模塊在PCB散熱方面較差,而耗散功率的唯一方法是通過一個(gè)外部散熱器實(shí)現(xiàn),但這卻增加了成本并帶來了振蕩和其它的物理壓力;
  • PQFN IPM電流能力還取決于PCB設(shè)計(jì),特別是銅板厚度、銅盤區(qū)域和層數(shù),并最終取決于最大可允許的PCB溫度;
  • 尤其適用于空間、面積小的應(yīng)用,替代傳統(tǒng)小功率方案,不需要散熱器;
  • 半橋結(jié)構(gòu),應(yīng)用更靈活;
PQFN8*9
產(chǎn)品參數(shù)
產(chǎn)品型號(hào) 電壓
(V)
電流
(A)
絕緣耐壓
(KV)
優(yōu)化
開關(guān)
(KHz)
器件 推薦功率
(W)
熱接口 自舉
二極管
欠壓
保護(hù)
過流
保護(hù)
溫度
輸出
互鎖 RDS(on)(Typ)
(Ω)
VF
(Typ)
(V)
Rth
(j-c)(Max)
(℃/W)
VCE
(SAT)(Typ)
(V)
XNM03H54D5 500 3 1.5 20 MOSFET 50 PCB 3 1.5 1.6
XNM05H54D5 500 5 1.5 20 MOSFET 120 PCB 1.6 1.5 1.5
XNS04H54D6 600 4 1.5 20 IGBT 60 PCB 2.1 1.5 1.3
XNS06H54D6 600 6 1.5 20 IGBT 150 PCB 2.1 1.4 1.3
XNS04H54E6 600 4 1.5 20 IGBT 60 PCB VOT 2.1 1.5 1.3
XNS06H54E6 600 6 1.5 20 IGBT 150 PCB VOT 2.1 1.4 1.3