1、驅動電路：由于IGBT的UCE(sat)和短路耐量之間的折衷關系，建議將柵極電壓選為+UG＝15V±10%，—UG =5~10V。柵極電阻與IGBT的開通和關斷特性密切相關，RG小時開關損耗減少，開關時間縮短，關斷脈沖電壓增大。應根據(jù)浪涌電壓和開關損耗的最佳折衷關系（與頻率有關）選擇合適的RG值，一般選為10~27Ω。為防止柵極開路，在柵極與發(fā)射極問并聯(lián)20~30kΩ的電阻。
2、保護電路： IGBT模塊使用在高頻時，布線電感容易產(chǎn)生尖峰電壓，必須注意布線電感和組件的配置。應設的保護項目有：過電流保護、過電壓保護、柵極過壓及欠壓保護、安全工作區(qū)、過熱保護。
3、吸收電路：由于IGBT開關速度快，容易產(chǎn)生浪涌電壓，所以必須設有浪涌鉗位電路。
4、IGBT 并聯(lián)使用時應考慮柵極電路的線路布線、電流不平衡和器件之間的溫度不平衡等問題。
