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芯能發(fā)布IPM23-FP_MOS 系列智能功率模塊
芯能半導(dǎo)體 芯能半導(dǎo)體 Loading... 2023-06-20

概要

    IPM23_MOS方案時隔1年再次相見,我們新品優(yōu)化了產(chǎn)品性能,優(yōu)化的產(chǎn)品成本架構(gòu),產(chǎn)線擴(kuò)線產(chǎn)能保證。

    新發(fā)布的智能功率模塊采用芯能新一代自研驅(qū)動IC和MOSFET芯片,包含全功能驅(qū)動與高性能逆變輸出,為交流感應(yīng)電機(jī)、BLDC無刷直流電流與PMSM永磁同步電機(jī)等高頻應(yīng)用提供了更適配的選項(xiàng)。

    IPM23_MOS新系列產(chǎn)品內(nèi)部驅(qū)動集成了自舉電路、防直通互鎖、欠壓保護(hù)與溫度輸出功能,優(yōu)化的高壓柵極驅(qū)動配合內(nèi)集成快速恢復(fù)二極管的MOSFET,極大地改善產(chǎn)品工作EMI與開關(guān)損耗。產(chǎn)品封裝采用框架全塑封結(jié)構(gòu),模塊體積小、功能齊全、功率密度高、熱阻小,絕緣等級能滿足各種裝配場景需求。

    目前產(chǎn)品的規(guī)格等級有3A/500V和5A/500V,型號為XNM50350ATS和XNM50550ATS。


產(chǎn)品特點(diǎn)



1、內(nèi)置高壓柵極驅(qū)動,配套芯片完全國產(chǎn)化

2、三相全橋逆變拓?fù)?,適用于各類電機(jī)驅(qū)動場景

3、優(yōu)化驅(qū)動與MOSFET開關(guān),降低開關(guān)損耗與優(yōu)化EMI特性

4、驅(qū)動集成自舉電路,內(nèi)置限流保護(hù)電阻,集成度更高

5、內(nèi)置欠壓保護(hù)、過流保護(hù),互鎖及溫度輸出(VOT) 

6、完全兼容3.3V和5V驅(qū)動輸入信號

7、絕緣電壓等級:1500Vac

解決問題

01

與主流產(chǎn)品完全兼容


02

集成多重保護(hù)功能

集成自舉電路、欠壓保護(hù)、防直通互鎖、溫度輸出功能

03

開關(guān)損耗小,適用高頻應(yīng)用


電流等級可達(dá)5A,功率密度高、熱阻小

※產(chǎn)品具體信息可向我司銷售人員咨詢或索取產(chǎn)品規(guī)格書(service@invsemi.com)。

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