概要
IPM29- SiC_MOS智能功率模塊新產(chǎn)品內(nèi)部集成了新一代N溝道增強型1200V-SiC_MOSFET芯片與與優(yōu)化的SOI工藝6通道柵極驅(qū)動芯片，作為緊湊的1200V等級封裝，這款SiC MOSFET IPM使用簡便，針對SIC定制優(yōu)化驅(qū)動部分，有效減小開關(guān)振蕩。此外，它采用緊湊式封裝，得益于使用具備很高熱導(dǎo)率的DBC基板，具有良好熱性能和充足的電氣隔離等級能力，具有出色的功率密度、可靠性和性能。它針對相關(guān)應(yīng)用進行了優(yōu)化，是一款用于高效率的電機驅(qū)動與有源功率校正電路的高效逆變平臺而設(shè)計的個性化產(chǎn)品。例如供暖通風(fēng)空調(diào)，風(fēng)扇電機，車載空調(diào)及三相功率因數(shù)校正。
填補IPM產(chǎn)品市場端的高壓平臺的高頻應(yīng)用需求。
IPM29- SiC_MOS新系列產(chǎn)驅(qū)動集成了自舉電路、一體化使能與可調(diào)故障輸出（FO）、防直通互鎖、欠壓保護與溫度輸出功能，優(yōu)化的高壓柵極驅(qū)動配合內(nèi)集成的高速、低阻抗SiC_MOSFETS逆變橋，極大地改善產(chǎn)品工作EMI特性與開關(guān)損耗，適用于高頻開關(guān)需求的電機驅(qū)動應(yīng)用。
目前產(chǎn)品的規(guī)格等級有20A / 1200V > XNC20S12FT。
1、集成1200V/20A高壓柵極驅(qū)動與配套高速開關(guān)SiC_MOS逆變拓?fù)?
2、優(yōu)化驅(qū)動與SiC_MOS開關(guān)，降低開關(guān)損耗與優(yōu)化EMI特性
3、三相全橋逆變拓?fù)洌聵虬l(fā)射極開路，適用于各類電機驅(qū)動場景
4、驅(qū)動集成帶限流電阻自舉二極管
5、內(nèi)置欠壓保護、過流保護，互鎖、可調(diào)故障輸出及溫度輸出(VOT)
6、完全兼容3.3V和5V驅(qū)動輸入信號
7、絕緣電壓等級：2500Vac
內(nèi)部拓?fù)?/strong>
整機應(yīng)用測試
32khz載波頻率采樣
15A電流采樣
溫升曲線
XNC20S12FT 新品SiC智能功率模塊在整機運行實驗中表現(xiàn)優(yōu)秀，在較高工作載波頻率（32KHz），負(fù)載電流為80%的額定電流的工況下溫升表現(xiàn)良好，電流、電壓波形穩(wěn)定無明顯尖刺干擾，能保證電機的穩(wěn)定、高效運轉(zhuǎn)。
※產(chǎn)品具體信息可向我司銷售人員咨詢或索取產(chǎn)品規(guī)格書(service@invsemi.com)。
